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田中貴金屬:作為液態釕前驅物實現了世界級行業標準蒸汽壓力數值 開發了CVD/ALD用前驅物“TRuST”

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2020年10月5日 13時00分

      


田中贵金属:作为液态钌前驱物实现了世界级行业标准蒸汽压力数值 开发了CVD/ALD用前驱物“TRuST”

通過優異的台階覆蓋性和成膜速度的提高,為半導體的性能提高做出貢獻

東京, 2020年10月5日 – (亞太商訊) – 田中控股株式會社(總公司:東京都千代田區、執行總裁:田中 浩一朗)宣布從事田中貴金屬集團的製造事業的田中貴金屬工業株式會社(總公司:東京都千代田區、執行總裁:田中 浩一朗)開發了比迄今為止的液體釕(元件符號Ru)前驅物(※1)蒸汽壓力提高約100倍的CVD(※2)/ALD(※3)用前驅物“TRuST”。根據本公司內部評估,該實驗值為在常溫下的世界級蒸汽壓力數值。

CVD/ALD用前驅物“TRuST”
前驅蒸汽壓力比較



在本開發的過程中,前驅物的設計及合成由田中貴金屬工業負責,其成膜特性的優化研究由韓國嶺南大學工科學院新材料工學部的SOO-HYUN, KIM教授負責。

通過本技術,對用於智能手機、計算機,以及今後預計進一步擴大需求的數據中心的半導體的性能提高及省電性做出貢獻。

前驅物是指以CVD(化學氣相沉積法)及ALD(原子層沉積法)等方法,在基板上形成金屬薄膜、金屬配線時使用的化合物。CVD/ALD工藝製程是可實現優異的台階覆蓋性及在各種底層基板上成膜,是隨着半導體的微細化,在構造不斷複雜化及細線化的進程中極為有用的成膜方法。

本公司長年以來致力於以釕為首的各種貴金屬前驅物的開發,此次使用計算機模擬等進行分子構造的小型化及優化,成功開發了具有液態、且蒸汽壓力較高、適合成膜的熱穩定性等作為前驅物重要特性的貴金屬化合物。其結果與迄今為止的液態釕前驅物相比,蒸汽壓力提高約100倍以上達到世界級行業標準數值。由於前驅物的蒸汽壓力越高,前驅物的分子構造越小,就越能提高成膜室內的前驅物濃度及在基板表面的前驅物分子的吸附密度,與原有的前驅物相比,實現了優異的台階覆蓋性和成膜速度的提高。

而且,根據嶺南大學的研究結果,ALD成膜時的成膜速度為每個周期約1.7Å,作為液態釕前驅物的ALD成膜,展現出了世界級行業水準的成膜速度。比電阻也為成膜後約13μΩ・㎝的數值,達到了接近原料釕金屬的數值(7.6μΩ・㎝)。

原料釕用於蒸鍍時,接近3000℃時則為高溫,若轉變為前驅物的有機金屬化合物的形式,也可在真空下以室溫~200℃左右的低溫實現氣化。以此可期以更高的生產率實現台階覆蓋性優異、更高質量的釕膜成膜。同時全部滿足這些特性,在技術上比較困難,作為迄今為止的課題未曾實現,但是通過此次“TRuST”的開發,得以實現了。

關於本產品的樣品出貨,預定在2020年10月開始。

關於背景與田中貴金屬工業的CVD/ALD用前驅物開發

迄今為止,在半導體的配線材料的主原料中,主要使用銅及鎢、鈷,但是隨着半導體的發展,面向半導體的進一步微細化,對電阻更低、持久性更高的貴金屬釕的期待也在增加。此外,晶體管的柵電極及DRAM的電容器用電極等也可探討使用具有優異特性的釕。

由於近年來IoT及AI、5G技術的發展,在雲端及智能手機、PC中使用的數字數據迅速增加。隨之而來,在半導體開發中,前所未有地要求實現較高性能且省電的器件,以及半導體的微細化。本公司作為貴金屬的的專業廠商,今後也將通過開發更高質量的半導體材料,為半導體的發展做出貢獻。

此外,對於本技術,在從2020年10月5日至8日在線召開的IITC2020(International Interconnect Technology Conference:原預定在美國加利福尼亞聖何塞召開),關於“High-growth-rate atomic layer deposition of high-quality Ru using a novel Ru metalorganic precursor/沉澱速度較快,能獲得較高純度的Ru(釕)膜的ALD成膜”,在嶺南大學工科學院的SOO-HYUN, KIM(金秀賢)教授的指導下,由田中貴金屬工業研究員進行了演示。

(※1)前驅物/precursor 前驅體
作為在基板上形成金屬薄膜、金屬配線時使用的原材料的化合物。
(※2)CVD/Chemical Vapor Deposition 化學氣相沉澱法
是一種化學成膜方法,在大氣壓~中度真空(100~10-1Pa)的狀態下,輸送氣態氣體原料,提供熱能、電漿、光能等能量,激發並促進化學反應,在基材及基板的表面形成金屬薄膜的方法。
(※3)ALD/Atomic Layer Deposition 原子層沉積法
CVD和ALD都是通過氣相將原料送達基板,利用反應器中的化學反應形成薄膜的方法,通常的特徵是CVD可不斷促進原子和分子層的形成,ALD可逐層斷續形成原子和分子層。 

田中控股株式會社(統籌田中貴金屬集團之控股公司)
總公司:東京都千代田區丸之內2-7-3 東京大樓22F
代表:執行總裁 田中 浩一朗
創業:1885年
設立:1918年※
資本額:5億日元
集團連結員工數:5,138名(2019年度)
集團連結營業額:11,496億400萬日元(2019年度)
集團之主要事業內容:作為田中金屬集團的核心持股公司,從事戰略性及效率性的集團運營及集團各企業的經營指導
網址:https://www.tanaka.co.jp
※2010年4月1日轉換到以田中控股株式會社為控股公司的體制。

田中貴金屬工業株式會社
總公司:東京都千代田區丸之內2-7-3 東京大樓22F
代表:執行總裁 田中 浩一朗
創業:1885年
設立:1918年
註冊資金:5億日元
員工人數:2,393名(2020年3月31日) 
銷售額:9,926億7,987萬9,000日元(2019年度)
經營內容:製造、銷售、進口及出口貴金屬 (白金、金、銀及其他)和各種產業用貴金屬產品
網址:https://tanaka-preciousmetals.com

關於田中貴金屬集團

田中貴金屬集團自1885 年(明治18年)創業以來,營業範圍以貴金屬為中心,並以此展開廣泛活動。在日本國內,以最高水準的貴金屬交易量為傲,長年以來不遺餘力地進行產業用貴金屬製品的製造和銷售,以及提供作為寶石飾品及資產的貴金屬商品。並且,作為貴金屬相關的專家集團,國內外的各集團公司進行製造、銷售以及技術一體化,攜手合作提供產品及服務。此外,為了不斷地推進全球化,在2016年還將Metalor Technologies International SA納入了集團企業當中。

田中貴金屬集團今後也將作為貴金屬的專家,通過事業的發展,為寬裕豐富的生活貢獻一己之力。

田中貴金屬集團核心5家公司如下所示 :
– 田中控股株式會社,純粹控股公司 
– 田中貴金屬工業株式會社
– 田中電子工業株式會社
– 日本電鍍工程株式會社
– 田中貴金屬珠寶株式會社

新聞稿: http://www.acnnewswire.com/clientreports/598/20201006_CH.pdf

報導相關諮詢處
田中控股株式會社
https://tanaka-preciousmetals.com/en/inquiries-for-media/



News URL: https://www.acnnewswire.com/press-release/simplifiedchinese/61827/

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